欧美精品

分立器件 分立器件

分立器件

专注于半导体电性能测试

当前位置：首页 > 解决方案 > 分立器件

忆阻器基础性能研究

来源：admin 时间：2022-11-07 16:13 浏览量：151

忆阻器件有两个典型的阻值状态,分别是高阻态(HRS)和低阻态(LRS),高阻态具有很高的阻值,通常为几kΩ到几MΩ,低阻态具有较低的阻值,通常为几百Ω。


忆阻器的阻变行为最主要是体现在它的I-V曲线图上，不同种材料构成的忆阻器件在许多细节上存在差异,依据阻值的变化随外加电压或电流变化的不同,可以分为两种,分别是线性忆阻器LM(linear memristor)以及非线性忆阻器NLM(non-linear memristor)。

返回上页

相关产品

暂时没有数据~

为了方便我们更好地为您服务,请留下您的宝贵信息

  • * 我们会谨慎对待您的个人信息，保护您的隐私安全！ 稍后我们将安排销售顾问与您取得联系。

  • 我已阅读并同意用户隐私政策

欢迎来到普赛斯仪表资料下载中心

只需1分钟，填写后即可获得：
· 通过电子邮件获取正式的PDF资料
· 专业的技术支持团队VIP一对一服务
· 帮助您构建自定义的高效率、高精度、高安全性解决方案
· 及时获取最新行业资讯及产品动态，快速访问进阶产品内容

  • * 我们会谨慎对待您的个人信息，保护您的隐私安全！ 稍后我们将安排销售顾问与您取得联系。

  • 我已阅读并同意用户隐私政策
欧美精品